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據全球電池網了解，國科學院半導體研究所韓培德研究員領導的光伏能源組日前宣布，該團隊瞄準光伏企業需求，經過多年苦戰，在國產直拉N型單晶硅(Cz)襯底上采用離子注入等技術，研發出了效率達到20%的太陽能電池，該結果已經過中國計量科學研究院檢測。

中國科學院半導體研究所韓培德研究員領導的光伏能源組

該團隊目前電池的尺寸為9x9mm2，采用了包括離子注入、選擇性發射極、入射光減反和背面局部重摻等多種技術。電池短路電流密度JSC=43.9mA/cm2，開路電壓VOC=602mV，填充因子FF=0.758，效率達到20.0%。另外，由于目前工藝尚不成熟，采用的硅片過厚(380mm),電池效率仍有進一步提升空間。

韓培德研究員在接受PV-Tech采訪時表示，該太陽電池具有兩大特點，首先其襯底中少子壽命長；其次工藝中避免了高溫對晶硅的損害。他認為團隊目前的技術路線是下一代高效晶硅太陽電池的發展方向之一。

他表示盡管政府介入光伏產業過多，企業盲目擴張，產品供大于求，但這種慘烈的競爭直接導致了光伏組件價格快速降低，從目前的價格和成本來看，人們有理由相信：在不久的將來單晶硅/多晶硅太陽電池將實現光電轉換效率≥20%，電力成本≤$0.5/W，制造成本≤$100/m2的目標。單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導地位將保持長期不變。正因如此，將研究與生產同步、目標與產品兼容，不斷提高單晶硅/多晶硅電池效率、形成自主知識產權，這在引領光伏企業向前發展的進程中具有更加重要的戰略意義。