專注于單晶硅領域的中環(huán)股份昨日在津召開新產品發(fā)布會，重點展示了在半導體節(jié)能領域和太陽能光伏領域取得的三項最新技術突破，分別是8英寸區(qū)熔硅單晶、〈110〉晶向直拉硅單晶、CFZ（直拉區(qū)熔技術）高效太陽能電池硅單晶。公司表示，這三項技術的成功突破，將進一步提升企業(yè)在這兩個領域的競爭力，為企業(yè)的未來發(fā)展帶來新的經濟增長點。
預計到2012年底，中環(huán)股份8英寸區(qū)熔硅單晶片生產規(guī)模將達到5000片/月以上，打破了國外對8英寸區(qū)熔硅單晶生長技術的封鎖。
區(qū)熔硅單晶已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導體器件，其技術應用的核心是通過電源頻率調制實現(xiàn)整機、裝置的控制和節(jié)能，其產品應用已覆蓋高速機車、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、新能源、節(jié)能家電等領域。2010年中國IGBT市場規(guī)模約70億元，未來預計將以25%以上的速度增長。目前，全球有近20家區(qū)熔硅單晶制造商，其中前5家公司壟斷了全球產量的95.5%以上，中環(huán)股份占據第三的位置。
在太陽能光伏領域，CFZ高效太陽能電池硅單晶，將成為公司未來在太陽能行業(yè)的核心競爭力和利潤增長點。該技術使得轉換效率達到24%~26%，接近理論極限值，遠高于目前國內17%左右的轉化率，進而大幅提升發(fā)電企業(yè)的經濟效益。同時，相對于目前太陽能行業(yè)普遍應用的CZ（直拉）單晶硅生長方法而言，CFZ具有更低成本、更高產品品質的優(yōu)勢，可采用低品質的多晶硅生產高品質產品，而采購的多晶硅成本較普通多晶硅低5%以上。目前該項技術世界上只有中環(huán)股份掌握，公司具有產品的議價權。
〈110〉晶向直拉硅單晶，主要應用于超薄太陽能電池，該技術既可節(jié)約硅材料3倍左右，同時使用其生產的電池片柔韌性好，適用于特殊場合。目前公司已開始批量生產，預計2012年一季度產量將達到2.5噸，至2013年三季度，產量將有望提升至40噸/年；而裝機容量將從目前的5兆瓦，提升至2015年的75兆瓦。
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