ARM與GlobalFoundries加緊28nm代工合作
來源：賽迪網 日期：2010-9-6 作者：全球電池網 點擊：
GlobalFoundries公司近日表示它計劃直接躍入28nm時代。公司重申這是工業(yè)界基于高k/金屬柵工藝的第1個28nm器件。GlobalFoundries研發(fā)部的技術高級副總裁Gregg Barleti表示公司采用TQV(Technology Qualification Vehicle) 技術驗證包可以使客戶設計的28nm工藝達到代工最佳化。
雙方合作開發(fā)的TQV已在Dresden GlobalFoundries的Fab1于8月完成產品設計階段(tapeout stage) 。
利用ARM Cortex A9物理IP的TQV設計, 范圍包括L1標準單元庫, 高速緩沖存儲器和存儲器單元密度最佳化。它的設計可仿效product-like,SoC。
TQV將采用GlobalFoundries的28nm高功能技術, 產品用于高功能的有線應用。產品的技術采用gate first高k工藝。
GlobalFoundries和ARM雙方公開它們在SoC平臺技術的合作細節(jié)是在2009 Q3。并聲稱此種新的芯片制造平臺技術, 與通常的40nm技術比較,能增加40%的計算功能, 30％的功耗降低及100%的增加備用電池使用壽命。
去年在阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)支持下化總額達39億美元兼并新加坡特許。
特許的加盟使GlobalFoundries的實力大增。ATIC和AMD將繼續(xù)投資擴大在處理器與圖像IC方面的合作。
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